电磁干扰的频率范围很宽（从几百Hz到MHz），又有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境。特别是大功率中、短波广播发射中心，其周围电磁环境尤为复杂。 受电磁干扰程度的关系表达式：N = G X C / IG：噪声源强度 I ：受干扰电路的敏感程度C：噪声通过某种途径传导受干扰处的耦合因素 电磁干扰抑制技术的三个措施：1、抑制电磁干扰源2、切断电磁干扰耦合途径3、降低电磁敏感装置的敏感性 一、抑制电磁干扰源电流电压瞬变的地方（即di/dt或du/dt）即是干扰源。 抑制干扰源就是尽可能的减小di/dt或du/dt，这是抗干扰设计时最优先和最重要的原则。减小di/dt的干扰源，主要是在干扰回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现；减小du/dt的干扰源，则是通过在干扰源两端并联电容来实现。抑制方法通常采用低噪声电路、瞬态抑制电路、稳压电路等，所选用的器件应尽可能采用低噪声、高频特性好、稳定性高的电子元件，特别要注意，抑制电路中不适当的器件选择可能会产生新的干扰源。 二、切断干扰耦合途径电磁干扰耦合途径主要包括传导和辐射两种。 三、降低装置的灵敏度矛盾的双重性，需根据情况折中考虑。总结：都应该从设计之初就着手考虑电磁兼容性的问题。 继电器电磁干扰分为线圈瞬变干扰和开关触点干扰线圈瞬变干扰抑制方式：1、并联电阻——增加功耗，阻值大小需考虑。 2、并联二极管——延迟放电时间，降低动态响应性能。二极管峰值耐压应为负载电压的3倍以上。 3、并联RC支路——抑制效果最好，通常R在10～100Ω之间，C在0.1～0.5μF之间，选用无极性电容器，且其耐压应高于电源电压的峰值。 一般情况下，开关触点间存在两种形式的击穿电压，即气体火花放电和金属弧光放电。要防止气体火花放电，应控制触点间电压低于300V；要防止金属弧光放电，应控制触点间的起始电压上升率小于1V/μs，并把触点间的瞬态电流控制在0.4A以下。开关触点干扰抑制方式：1、并联RC支路——R、C的选择应根据接点的电流和电压来确定，电阻R相对于接点电压为1V时，通常选择0.5～1Ω；电容C相对于接点电流为1A时，通常选择0.5～1μF。但是由于负载的性质和离散特性等的不同，必须考虑电容C具有抑制接点断开时的放电效果，在一般情况下使用200～300V的电容器耐压。 2、改进型抑制电路——在电阻R上并联一只二极管D。
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